性能提升10％？比亚迪电动车明年将可望搭载SiC第三代半导体材料！

苦行僧

　　在日前於浙江省宁波市举行的新技术发表会上，比亚迪首度发表了影响电动车性能关键因素的「绝缘栅双极型晶体管」（IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor），且应用IGBT 4.0技术，这项与动力电池电芯并称为电动车关键「双芯」的技术，不但可直接驱动系统交直流电转换，且因为占电动车整车成本达5％，更将决定未来电动车的最大输出功率与扭力表现。
　　不过最令人惊讶的是，比亚迪在这场发表会上，同时宣布已经成功研发SiC MOSFET（汽车功率半导体），最快将於明年推出搭载SiC电控技术的电动车，这第三代半导体材料，将全面替代矽基IGBT，预计将让电动车整车性能表现提升10％。
　　此外，比亚迪已经钜额投资这第三代半导体，除致力於降低制造成本，也将将整合材料（高纯碳化矽粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业供应链，比亚迪表示，SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代杀手级应用，更将为新一代电动车在加速、续航等性能指标领先对手。
　　根据统计资料显示，2015-2017年间比亚迪已经连续三年蝉联全球新能源汽车销量冠军，而今年年初更喊出年销20万辆的目标，累积1-10月份光新能源乘用车就已经卖出16.3万辆，此外在全球纯电大巴也依旧稳居销售与市占率冠军，且持续推动包括轻型商业车与各特种商业车的纯电动化进程。